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          蝕刻系統操作條件對晶片蝕刻速率和均勻性的影響

          華林科納半導體設備制造 ? 來源:華林科納半導體設備制造 ? 作者:華林科納半導體設 ? 2022-06-29 17:21 ? 次閱讀

          引言

          正在開發化學下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解產生的大量活性F原子造成的。,或參考“o”和n。因此,大濃度電中性蝕刻劑的生產提出了沖突的CDE設計要求。目前使用的設計選擇是通過“傳輸管”將等離子體源與蝕刻室分開這種管,內襯化學惰性材料,如聚四氟乙烯,允許電荷中和,同時盡量減少中性粒子復合。

          復雜的化學反應流動系統的模型最近已經發展到可以從第一原理預測CDE系統性能的程度。這項研究的目的是開發和應用一個數值模型來幫助CDE工具的設計和操作。為此,我們編制了第一個已知的NF等離子體動力學模型。,/O,氣。該模型與化學反應流模型結合使用,以預測通過等離子體源、傳輸管、噴頭和蝕刻室的條件。模型驗證是通過與實驗蝕刻速率數據的比較來實現的。此外,通過改變總流量、壓力、等離子體功率、氧氣流量和輸送管直徑,該模型被用于確定CDE系統的操作特性。蝕刻速率和不均勻性與各種輸入和計算參數的相關性突出了系統壓力、流速和原子氟濃度對系統性能的重要性。

          CDE模型

          組裝化學反應流模型以包括每個CDE部件(圖1)中的重要化學和物理現象,即等離子體源、傳輸管、噴頭和處理室。CDE模型從一個部件到下一個部件連續地跟隨氣體流動,每個部件模型的輸出是下一個模型的輸入。這些模型包含了每個組件中重要的物理和化學現象。一般來說,當流體從等離子體源流向處理室時,模型的化學復雜性降低(從數百個化學反應減少到四個),而物理維度增加(從等離子體源中的0D增加到蝕刻室中的2D)。CDE模型的輸入是入口氣體流速和溫度、等離子體源功率和工藝壓力,輸出是晶片蝕刻速率和不均勻性以及對晶片上離子濃度的估計。中間結果包括等離子體源施加器腐蝕速率和通過輸送管和處理室的氣相濃度。

          此處描述的CDE模型適用于矩陣集成系統公司目前正在開發的CDE工具。該系統包括一個帶有石英涂敷管的微波等離子體源,能夠以300至750 W輸入功率,NF。,流量高達67 seem,0。高達100 sccm的流速,幾十厘米長的輸送管,以及能夠處理200 mm晶片的蝕刻室。還分析了幾種不同的淋浴頭設計??紤]250至1000毫托的等離子體源壓力。

          poYBAGK8GaaAdGaJAAA1Uec4uSE184.jpg

          隨著流動向下游進行,復合和中和反應在輸送管中是重要的,并且晶片蝕刻反應在蝕刻室中是重要的。通過噴頭和處理室的流動在化學上比通過等離子體源和輸送管的流動簡單。由于在輸送管中發生了大量的中和反應,所以通過兩個步驟的過程減少了反應時間。首先,帶電粒子被消除。使用一維處理室模型預測蝕刻速率。系統地去除物質和反應,以給出具有幾乎相同蝕刻速率的一組減少的物質和反應:在全部化學計算的3%以內。使用這種方法,描述源區域和傳輸管所需的大的反應組被簡化為二維處理室模型可管理的組。

          討論

          對各種操作條件和輸送管直徑進行了計算。結果分為兩部分。第一個是兩種操作條件和兩種晶片類型的計算和測量之間的直接比較。第二項是參數研究,以確定工作條件和幾何變化對CDE性能的影響。

          對比?!獙ξg刻速率的計算和測量進行了比較,以確保CDE模型預測矩陣CDE工具的性能。對四種條件進行了計算和測量之間的直接比較:兩種流動條件,每種條件具有兩種不同的晶片類型。兩個tlow條件是:(t)67 SCCM NF的基線情況100 sccm O,源功率320 W,蝕刻室壓力335 mTorr,和(ii)67 SCCM NF的非基線情況0 sccm O,源功率320 W,蝕刻室壓力250 mTorr。這兩種晶片類型是覆蓋多晶硅和二氧化硅晶片。蝕刻速率和不均勻性如表1所示。該模型對NF/O等離子體最為精確,在所有情況下,預測蝕刻速率在80 %以內。非均勻性的模型預測與測量結果不一致(在該比較中僅使用了一個晶片)。已經表明,改進的比較導致對更多晶片的更詳細的測量。特別是,該模型已用于比較不同CDE下多晶硅蝕刻的蝕刻速率和不均勻性1,24,以及蝕刻速率和不均勻性在25 %以內的數值和趨勢。

          pYYBAGK8GaaAUp-MAABLCG6FjOs079.jpg

          濃度在百萬分之幾的數量級,并且預期足夠小,以至于幾乎不會對晶片造成損害。由于傳輸管有幾十厘米長,所以可以看出,按指數規律下降的離子濃度無關緊要。發現極小的離子含量是由這里給出的計算條件產生的,因此我們得出結論,傳輸管的設計預期消除離子的存在,同時僅輕微影響自由基濃度。

          圖3示出了二維蝕刻室計算的詳細結果。除了晶片之外的所有表面上都發生氟原子再結合到Ft,在晶片中多晶硅被氟原子蝕刻以形成SiF。圖3a顯示了通過該室的氟原子濃度和氟原子通量線。在圖3b中,示出了得到的多晶硅蝕刻速率曲線。如果蝕刻速率在整個晶片上是均勻的,通量線將均勻間隔地與晶片相交。通量線向晶片邊緣的偏轉是蝕刻室中對流和擴散的復雜相互作用的結果,導致中心快速蝕刻速率分布。

          poYBAGK8GaeAbeZBAAA6coqW-IM521.jpg

          總結和結論

          模型o1化學下游蝕刻已經預測了一系列操作條件下的蝕刻速率和不均勻性。預測和測量的晶片蝕刻速率之間的直接比較顯示,對于一組基線操作條件,模型的精度在10%以內,對于非基線條件,模型的精度在30%以內。進行流速、源混合物的組成、壓力、等離子體源功率和輸送管直徑的系統變化,并得到相關的蝕刻速率。蝕刻室和等離子體源壓力O和NF、流速充分預測了計算的多晶和氧化物蝕刻速率和7%以內的均勻性。通過關聯蝕刻室壓力、蝕刻室入口流速和蝕刻室入口原子氟摩爾分數,實現了更好的關聯,這依賴于更少的獨立變量并實現了更低的rms誤差(在1%以內)。

          這項研究的結論是:

          第一原理化學反應流動模型可用于預測NF/O化學下游蝕刻系統中多晶硅和二氧化硅水的蝕刻速率和均勻性。

          蝕刻速率和不均勻性可以與操作參數相關聯,這在工藝設計中應該證明是有用的。

          使用蝕刻室條件獲得了蝕刻速率和不均勻性的良好相關性。這應該允許基于組合的等離子體源、傳輸管和噴頭部件的輸出來預測CDE性能。

          多晶硅蝕刻往往受對流限制,因此蝕刻速率取決于壓力、質量流量和蝕刻劑摩爾分數,而氧化物蝕刻受表面反應速率限制,因此比多晶硅蝕刻更多地取決于壓力,而更少地取決于流量。

          在較低壓力和較高流速下,蝕刻均勻性得到改善。

          晶片上的離子濃度估計小于10'/cm ',以F*為主。

          審核編輯:符乾江

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            用于減薄硅片的蝕刻技術

            高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積,以提供足夠的家庭消費能源。我們認為,....
            發表于 06-28 11:20 ? 10次 閱讀

            熱退火對金屬半導體的影響

            在鎘鋅薄膜(CZT)探測器制備過程中加入了一個熱退火過程,以降低泄漏電流并獲得穩定的探測器性能。由于....
            發表于 06-28 11:15 ? 19次 閱讀

            韓媒:中國半導體即將追上韓國,美媒也大力“吹捧”,我們該如何看待自己的高增長

            電子發燒友網報道(文/吳子鵬)6月25日,韓國媒體引用集邦咨詢(TrendForce)數據并發表觀點....
            的頭像 Felix分析 發表于 06-28 08:59 ? 1157次 閱讀
            韓媒:中國半導體即將追上韓國,美媒也大力“吹捧”,我們該如何看待自己的高增長

            新GaAs IC 金屬剝離的方法

            在圖案化的抗蝕劑上濺射或蒸發金屬,然后剝離金屬,傳統上用于在砷化鎵晶片處理中定義互連,在剝離工藝中,....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-27 17:21 ? 217次 閱讀

            晶豐明源將陸續推出全套DCDC電源方案

            第三屆國產半導體應用技術大會在深圳如期舉行,本次大會主題“助力中國芯”,設有消費電子/汽車工業/光儲....
            的頭像 晶豐明源 發表于 06-27 16:40 ? 281次 閱讀

            高考志愿考量 集成電路和半導體專業的就業前景如何?薪資多少

            我國集成電路產業正處于布局和發展期,并且勢頭良好,人才需求依然旺盛。據芯查查統計,集成電路半導體行業....
            的頭像 芯查查 發表于 06-27 15:57 ? 224次 閱讀
            高考志愿考量 集成電路和半導體專業的就業前景如何?薪資多少

            半導體激光器在焊接技術中的應用

            半導體激光器因其優良性能在金屬材料焊接方面得到了較為廣泛的應用。因其光斑大、光束質量分布均勻及金屬材....
            的頭像 微笑就好666 發表于 06-27 14:30 ? 88次 閱讀

            “初芯產業創新研究院-斯坦福創新實驗室”正式揭牌

            產業資本對于硬科技產業的賦能價值正在快速進階。6月23日,“2022青島國際顯示大會暨第四屆全球顯示....
            的頭像 電子行業新聞 發表于 06-27 14:16 ? 98次 閱讀
            “初芯產業創新研究院-斯坦福創新實驗室”正式揭牌

            2022青島國際顯示大會暨第四屆全球顯示產業行業趨勢發布會

            2022青島國際顯示大會暨第四屆全球顯示產業行業趨勢發布會”,在青島西海岸新區星光島會議中心正式召開....
            發表于 06-27 13:35 ? 74次 閱讀
            2022青島國際顯示大會暨第四屆全球顯示產業行業趨勢發布會

            遼寧省委副書記一行蒞臨芯源微彩云路新廠考察調研

            2022年6月,清風習習、彩云飄飄,遼寧省委副書記、省長李樂成在沈陽市委書記王新偉、常務副市長高偉、....
            的頭像 科技綠洲 發表于 06-27 11:24 ? 395次 閱讀

            半導體制冷片控制板開發技術用到的功能模塊有哪些?

            半導體制冷片控制板開發技術需要用到的功能模塊有哪些?有知道的朋友嗎?展開講講? ...
            發表于 05-22 18:26 ? 7589次 閱讀

            半導體激光焊錫電源相關資料下載

            半導體激光焊錫電源 連續直接輸出激光器 高功率高精度電源直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸...
            發表于 12-29 08:00 ? 2549次 閱讀

            大功率半導體激光電源的作用有哪些

            大功率半導體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率半導體直接輸出激光器介紹直接半導體激光器輸出功率涵蓋...
            發表于 12-29 07:24 ? 2361次 閱讀

            無源組件與有源元件及機電組件的功能區別

            無源組件不能放大信號,并且它們不會產生機械運動。有源元件可以放大信號。機電組件將電能轉換為機械運動,將機械運動轉換為電能...
            發表于 12-29 07:04 ? 1271次 閱讀

            半導體直接輸出激光器介紹

            半導體直接輸出激光器介紹研制的直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸出功率穩定。200W以下的...
            發表于 12-29 06:21 ? 2745次 閱讀

            LDO穩壓器有何作用

               LDO穩壓器通常是任何給定系統中成本最低的元件之一,但從成本/效益角度來說,它往往是最有價值的元件之一。除了輸出電壓...
            發表于 12-28 07:59 ? 926次 閱讀

            怎樣去使用vim的基礎命令

            vim從入門到精通--基礎命令使用                     ...
            發表于 12-23 06:23 ? 1329次 閱讀

            電源內阻對DC-DC轉換器效率的影響

             DC-DC轉換器常用于采用電池供電的便攜式及其它高效系統,在對電源電壓進行升壓、降壓或反相時,其效率高于95%。電源內阻是...
            發表于 11-16 08:52 ? 1219次 閱讀

            LDO類的電源轉換芯片

             LDO是low dropout regulator,意為低壓差線性穩壓器,是相對于傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器,如78xx系列的芯片...
            發表于 11-16 08:50 ? 1152次 閱讀

            正確理解DC/DC轉換器

             一、正確理解DC/DC轉換器:  DC/DC轉換器為轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。DC/DC轉換器分為三類:...
            發表于 11-16 06:32 ? 1229次 閱讀

            LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

            LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
            發表于 01-08 17:51 ? 2052次 閱讀
            LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

            TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

            TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
            發表于 01-08 17:51 ? 577次 閱讀
            TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

            TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

            TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
            發表于 01-08 17:51 ? 512次 閱讀
            TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

            LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

            LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
            發表于 01-08 17:51 ? 627次 閱讀
            LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

            TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

            TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
            發表于 01-08 17:51 ? 1236次 閱讀
            TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

            INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

            INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
            發表于 01-08 17:51 ? 667次 閱讀
            INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

            LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

            LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
            發表于 01-08 17:51 ? 719次 閱讀
            LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

            LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

            LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
            發表于 01-08 17:51 ? 1257次 閱讀
            LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

            AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

            AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
            發表于 01-08 17:51 ? 2707次 閱讀
            AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

            OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

            OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
            發表于 01-08 17:51 ? 2242次 閱讀
            OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

            TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

            TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
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            TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

            DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

            DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
            發表于 01-08 17:51 ? 576次 閱讀
            DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

            TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

            TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
            發表于 01-08 17:51 ? 610次 閱讀
            TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

            TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

            這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
            發表于 01-08 17:51 ? 637次 閱讀
            TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

            LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

            LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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            LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

            TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

            TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
            發表于 01-08 17:51 ? 1113次 閱讀
            TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

            LM358B 雙路運算放大器

            LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
            發表于 01-08 17:51 ? 1206次 閱讀
            LM358B 雙路運算放大器

            LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

            LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
            發表于 01-08 17:51 ? 655次 閱讀
            LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

            LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

            LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
            發表于 01-08 17:51 ? 609次 閱讀
            LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

            LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

            LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
            發表于 01-08 17:51 ? 613次 閱讀
            LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器