<ruby id="55ddb"><mark id="55ddb"></mark></ruby>
    <p id="55ddb"><cite id="55ddb"><dfn id="55ddb"></dfn></cite></p>
          <ruby id="55ddb"></ruby>
          <p id="55ddb"></p>

          <pre id="55ddb"></pre>

          <p id="55ddb"></p><pre id="55ddb"><del id="55ddb"><mark id="55ddb"></mark></del></pre>

          創作

          完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦, 立即完善>

          3天內不再提示

          清洗晶圓基板的方法是什么

          華林科納半導體設備制造 ? 來源:華林科納半導體設備制造 ? 作者:華林科納半導體設 ? 2022-06-29 17:06 ? 次閱讀

          本發明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法,以及更具體地涉及使用NF在低溫下預清洗晶片,在使用硅晶片制造半導體器件的過程中,在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物和雜質,如外延硅沉積或氧化物層生長,去除污染物后,如果晶片暴露在氧氣中,晶片表面上的硅原子立即與氧結合,在晶片表面形成薄的SiO薄膜(約20A),這種天然氧化物SiO可能會干擾沉積過程,例如,當需要外延薄膜沉積時可能形成多晶薄膜,從而導致器件噪聲或性能下降。

          此外,天然氧化物降低了半導體器件的產率,隨著器件幾何形狀的變小,天然氧化物的形成和硅表面上各種污染物的存在成為越來越嚴重的問題,這種天然氧化物在半導體器件制造過程中降低了控制和可再生性。因此,在半導體器件制造過程中,在沉積和生長某些薄膜之前必須去除天然氧化膜和污染物,以便晶圓的硅表面在外延沉積之前不含氧化物和污染物。 傳統的清洗方法使用化學氣相沉積(CVD)反應器的工藝室來清洗晶片上的天然氧化物,并用于晶片處理,即將薄膜沉積到晶片上。一種叫做氫烘烤的方法,使用氫來減少硅層中的天然氧化物,對于氫氣烘烤,該晶片被帶到高溫,例如1150°C氫氣被泵入腔室,它與晶片表面反應,減少硅中的天然氧化物,從而去除天然氧化物,然后將腔室和/或晶片冷卻到硅沉積的溫度;另一種清潔方法是使用鹽酸蝕刻法,通常與氫氣烘烤法相結合,在這種方法中,使晶片在反應室中達到溫度(即,1150°C.或更多),然后進行常規的鹽酸蝕刻(例如,H2中的1-5%鹽酸),以去除由晶圓拋光引起的晶圓表面損壞的硅和金屬污染。因此,硅表面的天然氧化物和損傷都被去除,然后降低晶圓的溫度以進行外延沉積或氧化物生長,這些清洗技術要求晶片在外延沉積過程室中達到高溫,這個溫度高于通常所需的溫度,在高溫下,硅晶片的強度降低,導致滑移等缺陷,從而導致產率損失的增加。

          將晶圓放在程序腔內的高溫也可能導致不理想的自摻雜,晶片通常包括半導體基板,通常是硅,其中形成n型和p型區域,在半導體制造過程中,基板中的重摻雜部分通常被輕摻雜的外延層覆蓋,以實現重摻雜基板和輕摻雜的外延層之間的尖銳連接。然而,當晶片溫度上升到清洗溫度時,來自重摻雜區域的摻雜劑蒸發并沉積在室壁和晶圓的其他部分上,在清洗晶片后,在晶片上沉積一個輕摻雜的外延層,在此沉積過程中,腔室壁上的摻雜物可能會脫落并污染外延層,導致外延層中的摻雜物濃度發生不必要和不可預測的變化。

          在半導體制造過程中,基板中的重摻雜部分通常被輕摻雜的外延層覆蓋,以實現重摻雜基板和輕摻雜的外延層之間的尖銳連接,然而,當晶片溫度上升到清洗溫度時,來自重摻雜區域的摻雜劑蒸發并沉積在腔室壁和晶圓的其他部分上,在清洗晶片后,在晶片上沉積一個輕摻雜的外延層,在此沉積過程中,腔室壁上的摻雜物可能會脫落并污染外延層,導致外延層中的摻雜物濃度發生不必要和不可預測的變化。

          使用工藝室的傳統清洗方法的另一個缺點是,由于清洗晶圓所需的時間,系統的吞吐量降低了,清洗和外延沉積都是在工藝室中完成的,所以這些工藝必須按順序進行,可以通過向系統中添加更多的工藝室來提高吞吐量,然而,由于過程室成本昂貴,使用更多的過程室來增加吞吐量會增加系統的成本。因此,需要一種克服上述缺陷的方法來清洗硅表面。

          使用含氟的原料氣(優選為NF)清洗晶片的硅表面,生成氟原子,在單獨的預清洗室中與天然的氧化物和硅反應,待處理的晶圓片首先在一個單獨的預清洗室中進行清洗,NF氣體用于產生氟原子,然后進入預清洗室,一旦氟原子接觸到晶片的硅表面,天然氧化物、被污染的硅將被去除,在清洗過程中,晶片和預清洗室可以保持在室溫下,或者可以提高其溫度,以獲得更平滑的表面和更高的蝕刻率。因此,晶片表面的天然氧化物和污染硅在預清洗室中去除,清洗后,將晶片從預清洗室轉移到程序室進行分類沉積,在一些實施例中,預清洗腔室可以配置為向兩個或多個工藝腔室提供晶片。

          通過在大大低于工藝溫度或先前清洗方法中使用的溫度的溫度下進行預清洗,根據本發明的方法減少了與高溫相關的自摻雜、滑移問題,此外使用單獨的預清洗室與傳統技術形成鮮明對比,在傳統技術中,CVD反應器的工藝室用于清洗晶片上的天然氧化物和用于晶片處理,即將薄膜沉積在晶片上,通過提供一個單獨的預清洗室,可以提高吞吐量,因為工藝室不需要加倍作為清洗室,因此可以連續地用于處理晶片,預清洗室和加工室現在也可以分別優化為單獨清洗和加工晶片。

          本文章提供的一種使用NF氣體,通過將晶圓放置在單獨的預清洗室中,在外延沉積之前的低溫下清洗晶圓的硅表面的方法和結構,在降低的溫度下清洗晶圓的能力減少了與高溫清洗過程相關的滑移和自摻雜問題,此外,通過在一個單獨的預清洗室中清洗晶圓,系統可以以最小的成本增加吞吐量,因為清洗和沉積現在可以并行進行,而且因為預清洗室比程序室昂貴得多。

          使用單獨的清洗室允許沉積室僅專用于外延沉積過程,因此清洗和外延生長過程可以在單獨的晶片上并行進行,因此,吞吐量就增加了。由于預清洗室比沉積室便宜得多,因此提高了系統的成本效率,通常,預清洗室的成本可能是沉積室的成本,部分原因是預清洗室需要復雜的加熱、冷卻、氣體流量和監測要求,因此,在一個單獨的預清洗室中使用NF氣體在低溫下蝕刻和清潔硅晶片,提高了吞吐量和系統成本效率,同時減少了滑移、自摻雜和其他高溫問題。

          poYBAGK8FhuAS1s-AAB234TYd8Q470.png

          審核編輯:符乾江

          • 半導體
            +關注

            關注

            295

            文章

            16192

            瀏覽量

            188586
          • 晶圓
            +關注

            關注

            45

            文章

            2999

            瀏覽量

            119803
          收藏 人收藏

            評論

            相關推薦

            意法半導體靈活高壓運放瞄準汽車和工業環境應用

            來源:意法半導體 2022?年 7?月 1?日,中國? ——?意法半導體?TSB622通用低功耗雙算....
            的頭像 半導體芯科技SiSC 發表于 07-01 17:18 ? 174次 閱讀
            意法半導體靈活高壓運放瞄準汽車和工業環境應用

            中國12nm芯片做出來了嗎 中國上海量產12nm芯片

              據相關消息了解,此前上海市發布了一項報告,其中提到爭取在2021年實現12nm芯片的規?;a。....
            的頭像 牽手一起夢 發表于 07-01 17:00 ? 239次 閱讀

            溶劑對ITO電極蝕刻的影響

            本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對ITO膜腐蝕行為的影響,在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率,然而,....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 07-01 16:50 ? 101次 閱讀
            溶劑對ITO電極蝕刻的影響

            匯川產投完成多個明星項目投資 為“中國智造”貢獻力量

            2022年6月30日,證券時報舉辦的 「2022中國創投金鷹獎」和「2022中國新苗企業名單」正式揭....
            的頭像 匯川技術INOVANCE 發表于 07-01 15:52 ? 132次 閱讀

            C3輪!基本半導體獲粵科金融、初芯基金聯合投資

            2022年7月1日,深圳基本半導體有限公司宣布完成C3輪融資,由粵科金融和初芯基金聯合投資。 ? ?....
            發表于 07-01 15:19 ? 89次 閱讀
            C3輪!基本半導體獲粵科金融、初芯基金聯合投資

            光刻膠剝離用組合物及用其進行剝離的方法介紹

            本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物,該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 07-01 15:16 ? 87次 閱讀
            光刻膠剝離用組合物及用其進行剝離的方法介紹

            IBM發布的2nm芯片都采用了哪些技術

            IBM公司研發的2nm芯片,其采用了2納米工藝制造的測試芯片可以在一塊指甲大小的芯片中容納500億個....
            的頭像 獨愛72H 發表于 07-01 14:27 ? 105次 閱讀

            高功率半導體激光及光學元器件企業炬光科技發布2022第一季度報告

            高功率半導體激光及光學元器件企業西安炬光科技股份有限公司發布2022第一季度報告,具體內容如下。 一....
            的頭像 汽車玩家 發表于 07-01 11:45 ? 181次 閱讀

            IAR Embedded Workbench入門

              在選擇要使用的處理器和選擇的工具后,用戶開始訪問該特定設備的 IAR 信息中心頁面。信息中心頁面....
            的頭像 星星科技指導員 發表于 07-01 10:13 ? 92次 閱讀

            意法半導體5G M2M 嵌入式SIM卡芯片通過最新GSMA eSA(安全保障)認證

            中國,2022 年 6 月 29 日——意法半導體宣布推出ST4SIM-201機器間通信(M2M)嵌....
            發表于 07-01 09:51 ? 134次 閱讀
            意法半導體5G M2M 嵌入式SIM卡芯片通過最新GSMA eSA(安全保障)認證

            汽車傳感器的應用方案—雙組分介電絕緣硅凝膠

            應用:真空助力器壓力傳感器(相對壓力測量) 【用膠點】 凝膠灌封、殼體密封,線路板粘接 【功能要求】....
            的頭像 有機硅灌封膠|有機硅導熱灌封膠 發表于 07-01 09:30 ? 21次 閱讀
            汽車傳感器的應用方案—雙組分介電絕緣硅凝膠

            英特爾堅持“硬核創新”,助力數字經濟的蓬勃發展

            步入數字時代,技術對人類的重要性正在與日俱增,無論是個人的日常生活還是企業的發展壯大,都離不開英特爾....
            的頭像 話說科技 發表于 07-01 09:10 ? 27次 閱讀
            英特爾堅持“硬核創新”,助力數字經濟的蓬勃發展

            半導體需求增長加速,但中國大陸芯片自給率為何不到10%?

            電子發燒友網報道(文/黃山明)近幾年,隨著中美貿易環境的惡化,以及疫情帶來的影響,反而帶動了中國半導....
            的頭像 Simon觀察 發表于 07-01 08:03 ? 985次 閱讀
            半導體需求增長加速,但中國大陸芯片自給率為何不到10%?

            單次清洗晶圓的清洗方法及解決方案

            本文講述了我們華林科納的一種在單個晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法,該方法涉及在單一晶片模式下使....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-30 17:22 ? 185次 閱讀
            單次清洗晶圓的清洗方法及解決方案

            集成電路制造及晶圓封裝設備企業盛美上海發布2022第一季度報告

            集成電路制造及晶圓封裝設備企業盛美半導體設備(上海)股份有限公司發布2022第一季度報告,具體內容如....
            的頭像 汽車玩家 發表于 06-30 16:04 ? 256次 閱讀

            半導體生產設備研發生產企業芯源微發布2022第一季度報告

            半導體生產設備研發生產企業沈陽芯源微電子設備股份有限公司發布2022第一季度報告,具體內容如下。 一....
            的頭像 汽車玩家 發表于 06-30 15:41 ? 135次 閱讀

            2nm芯片可以使用這種新材料

            目前,替代性的金屬化材料(例如釕)和替代性的金屬化制程(例如半鑲嵌),正被密集的研究中。
            的頭像 獨愛72H 發表于 06-30 14:49 ? 54次 閱讀

            半導體企業兆易創新發布2022第一季度報告

            半導體企業北京兆易創新科技股份有限公司發布2022第一季度報告,具體內容如下。 一、 主要財務數據 ....
            的頭像 汽車玩家 發表于 06-30 14:38 ? 167次 閱讀

            半導體激光器的工作原理

            隨著半導體技術的不斷深入發展,市場需求不斷轉向。半導體激光器應用領域也不斷發生變化。從最初的小功率設....
            的頭像 微笑就好666 發表于 06-30 13:57 ? 184次 閱讀
            半導體激光器的工作原理

            半導體運營商的運營管控和質量要點

            ti一級代理商在世界半導體公司前20名。ti一級代理商在創新、生產和有用的產品及其服務中并存,以滿足....
            的頭像 tontek1588 發表于 06-30 11:29 ? 42次 閱讀

            壁仞科技BR100系列芯片即將亮相Hot Chips盛會

            作為芯片行業的國際頂級盛會之一,今年8月即將舉行的第34屆Hot Chips日前正式公布了時間表,首....
            的頭像 科技綠洲 發表于 06-30 10:19 ? 205次 閱讀

            三星電子GAA制程工藝節點芯片開始初步生產

            2022年6月30日,作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3nm全環繞柵極(Gat....
            的頭像 科技綠洲 發表于 06-30 10:15 ? 270次 閱讀

            賽美特5.4億元融資 發力半導體工業軟件國產化

            賽美特于近期完成總額高達5.4億元的A++輪和B輪融資,投資方包括中國互聯網投資基金、比亞迪股份、韋....
            的頭像 汽車電子技術 發表于 06-29 19:40 ? 439次 閱讀

            OptoVue Pro—通過實時原位校準縮短數據采集時間

            ??我們最近為CM300xi探針臺推出了一些革命性的新型硅光子(SiPh)探針解決方案。這些新功能之....
            的頭像 芯??萍? 發表于 06-29 18:02 ? 27次 閱讀
            OptoVue Pro—通過實時原位校準縮短數據采集時間

            蝕刻系統操作條件對晶片蝕刻速率和均勻性的影響

            引言 正在開發化學下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-29 17:21 ? 1931次 閱讀
            蝕刻系統操作條件對晶片蝕刻速率和均勻性的影響

            夾具是推拉力測試機中不可缺的零件,其維護尤為重要

            推拉力測試機是一種精密的檢測儀器,通過各種夾具的配合完成抗拉、彎曲、壓縮等多種力學檢測。推拉力測試機....
            的頭像 力標精密設備 發表于 06-29 16:27 ? 172次 閱讀

            TEC熱電冷卻器簡介

            電偶兩端加上直流電壓后,外電場迫使載荷體在回路中按一定的方向運動。金屬和N型半導體中的載荷體是電子,....
            的頭像 秦嶺農民 發表于 06-29 11:00 ? 97次 閱讀

            我國半導體即將追上韓國,我們該如何看待自己的高增長

            韓國媒體引用集邦咨詢(TrendForce)數據并發表觀點稱,中國企業在全球前十大晶圓代工廠商中的份....
            的頭像 fasdf 發表于 06-29 09:26 ? 627次 閱讀
            我國半導體即將追上韓國,我們該如何看待自己的高增長

            車成像傳感設計挑戰與Hayabusa圖像傳感

            車載成像是先進駕駛輔助系統(ADAS)中必不可少的一環,在安全以及各類其他需求的驅動下,車載成像系統....
            的頭像 Robot Vision 發表于 06-29 08:10 ? 1304次 閱讀
            車成像傳感設計挑戰與Hayabusa圖像傳感

            打造南沙“強芯”,南沙首屆IC Nansha大會召開

            6月25日,2022 中國·南沙國際集成電路產業論壇在廣州南沙召開。本次峰會由廣州南沙經濟技術開發區....
            的頭像 Blue5 發表于 06-28 19:52 ? 369次 閱讀
            打造南沙“強芯”,南沙首屆IC Nansha大會召開

            專注長期戰略,持續創造價值 布局新基建,積極推動創新 ——《中國電子商情》專訪德州儀器中國區大客戶

            “人生就像滾雪球,重要的是發現濕雪和很長的坡道”,這句廣為流傳的巴菲特名言被奉為財富積累的圭臬和要義....
            發表于 06-28 18:39 ? 342次 閱讀
            專注長期戰略,持續創造價值 布局新基建,積極推動創新 ——《中國電子商情》專訪德州儀器中國區大客戶

            環球晶圓擬在德州投資50億美元建設新工廠

            此前芯片制造商需要國會通過一項520億美元芯片法案計劃,這個法案目的是擴大美國半導體產業,減少對外國....
            的頭像 汽車電子技術 發表于 06-28 18:34 ? 527次 閱讀

            e絡盟進一步擴展東芝產品陣容,加大對設計工程師的支持

            e絡盟與東芝加強全球合作,以方便全球用戶獲取市場領先的功率半導體 和其他分立器件,推動新技術加速上市....
            發表于 06-28 17:41 ? 93次 閱讀
            e絡盟進一步擴展東芝產品陣容,加大對設計工程師的支持

            基于晶圓鍵合的三維集成應用中的高效單片清洗

            本文描述了我們華林科納單晶片超電子清洗方法的開發、測試和驗證,該傳感器設計滿足極端顆粒中性、顆粒去除....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-28 17:25 ? 190次 閱讀
            基于晶圓鍵合的三維集成應用中的高效單片清洗

            華林科納通過HF蝕刻法表征鍵合界面

            在許多電氣和傳感器應用中,SOI(絕緣體上硅)晶片已經取代了傳統的硅晶片,SOI晶片具有不同的掩埋氧....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-28 17:04 ? 136次 閱讀
            華林科納通過HF蝕刻法表征鍵合界面

            CLL技術應用于新材料和系統的制造和研究

            化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術,它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組....
            發表于 06-28 16:08 ? 201次 閱讀
            CLL技術應用于新材料和系統的制造和研究

            用于系統實現的平臺連續體

              基于 FPGA 的快速原型開發平臺作為一個周期精確的軟件開發平臺,能夠連接到現實世界的接口以運行....
            的頭像 星星科技指導員 發表于 06-28 16:04 ? 116次 閱讀
            用于系統實現的平臺連續體

            森國科碳化硅二極管助力“中國芯”創新發展

            近日,由電子研習社主辦的《第三屆國產半導體技術大會》成功舉辦,現場邀請了千余名半導體領域的資深教授講....
            的頭像 森國科 發表于 06-28 15:20 ? 282次 閱讀

            微納研究院與合作伙伴助推企業融資成果轉化賦能

            科技與金融融合發展是撬動科技產業創新發展的“杠桿臂”,是推動區域經濟高質量發展的“助推器”。
            的頭像 科技綠洲 發表于 06-28 14:34 ? 210次 閱讀

            小米投資成立半導體公司,或將正式進軍半導體領域!

            日前,據天眼查可得知,一個新的半導體公司在6月23日成立了,該半導體公司名字叫珠海芯試界半導體科技有....
            的頭像 汽車玩家 發表于 06-28 12:02 ? 2534次 閱讀

            熱退火對金屬半導體的影響

            在鎘鋅薄膜(CZT)探測器制備過程中加入了一個熱退火過程,以降低泄漏電流并獲得穩定的探測器性能。由于....
            發表于 06-28 11:15 ? 19次 閱讀

            韓媒:中國半導體即將追上韓國,美媒也大力“吹捧”,我們該如何看待自己的高增長

            電子發燒友網報道(文/吳子鵬)6月25日,韓國媒體引用集邦咨詢(TrendForce)數據并發表觀點....
            的頭像 Felix分析 發表于 06-28 08:59 ? 1155次 閱讀
            韓媒:中國半導體即將追上韓國,美媒也大力“吹捧”,我們該如何看待自己的高增長

            單晶片背面和斜面清潔(上)

            介紹 在IC制造中,從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如,在光刻過程....
            發表于 06-27 18:54 ? 364次 閱讀
            單晶片背面和斜面清潔(上)

            新GaAs IC 金屬剝離的方法

            在圖案化的抗蝕劑上濺射或蒸發金屬,然后剝離金屬,傳統上用于在砷化鎵晶片處理中定義互連,在剝離工藝中,....
            的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-27 17:21 ? 217次 閱讀

            晶豐明源將陸續推出全套DCDC電源方案

            第三屆國產半導體應用技術大會在深圳如期舉行,本次大會主題“助力中國芯”,設有消費電子/汽車工業/光儲....
            的頭像 晶豐明源 發表于 06-27 16:40 ? 281次 閱讀

            高考志愿考量 集成電路和半導體專業的就業前景如何?薪資多少

            我國集成電路產業正處于布局和發展期,并且勢頭良好,人才需求依然旺盛。據芯查查統計,集成電路半導體行業....
            的頭像 芯查查 發表于 06-27 15:57 ? 224次 閱讀
            高考志愿考量 集成電路和半導體專業的就業前景如何?薪資多少

            半導體激光器在焊接技術中的應用

            半導體激光器因其優良性能在金屬材料焊接方面得到了較為廣泛的應用。因其光斑大、光束質量分布均勻及金屬材....
            的頭像 微笑就好666 發表于 06-27 14:30 ? 88次 閱讀

            半導體制冷片控制板開發技術用到的功能模塊有哪些?

            半導體制冷片控制板開發技術需要用到的功能模塊有哪些?有知道的朋友嗎?展開講講? ...
            發表于 05-22 18:26 ? 7589次 閱讀

            半導體激光焊錫電源相關資料下載

            半導體激光焊錫電源 連續直接輸出激光器 高功率高精度電源直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸...
            發表于 12-29 08:00 ? 2549次 閱讀

            大功率半導體激光電源的作用有哪些

            大功率半導體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率半導體直接輸出激光器介紹直接半導體激光器輸出功率涵蓋...
            發表于 12-29 07:24 ? 2361次 閱讀

            無源組件與有源元件及機電組件的功能區別

            無源組件不能放大信號,并且它們不會產生機械運動。有源元件可以放大信號。機電組件將電能轉換為機械運動,將機械運動轉換為電能...
            發表于 12-29 07:04 ? 1271次 閱讀

            半導體直接輸出激光器介紹

            半導體直接輸出激光器介紹研制的直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸出功率穩定。200W以下的...
            發表于 12-29 06:21 ? 2745次 閱讀

            LDO穩壓器有何作用

               LDO穩壓器通常是任何給定系統中成本最低的元件之一,但從成本/效益角度來說,它往往是最有價值的元件之一。除了輸出電壓...
            發表于 12-28 07:59 ? 926次 閱讀

            怎樣去使用vim的基礎命令

            vim從入門到精通--基礎命令使用                     ...
            發表于 12-23 06:23 ? 1329次 閱讀

            電源內阻對DC-DC轉換器效率的影響

             DC-DC轉換器常用于采用電池供電的便攜式及其它高效系統,在對電源電壓進行升壓、降壓或反相時,其效率高于95%。電源內阻是...
            發表于 11-16 08:52 ? 1219次 閱讀

            LDO類的電源轉換芯片

             LDO是low dropout regulator,意為低壓差線性穩壓器,是相對于傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器,如78xx系列的芯片...
            發表于 11-16 08:50 ? 1152次 閱讀

            正確理解DC/DC轉換器

             一、正確理解DC/DC轉換器:  DC/DC轉換器為轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。DC/DC轉換器分為三類:...
            發表于 11-16 06:32 ? 1229次 閱讀

            LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

            LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
            發表于 01-08 17:51 ? 2052次 閱讀
            LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

            TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

            TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
            發表于 01-08 17:51 ? 577次 閱讀
            TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

            TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

            TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
            發表于 01-08 17:51 ? 512次 閱讀
            TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

            LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

            LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
            發表于 01-08 17:51 ? 627次 閱讀
            LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

            TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

            TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
            發表于 01-08 17:51 ? 1236次 閱讀
            TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

            INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

            INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
            發表于 01-08 17:51 ? 667次 閱讀
            INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

            LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

            LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
            發表于 01-08 17:51 ? 719次 閱讀
            LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

            LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

            LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
            發表于 01-08 17:51 ? 1257次 閱讀
            LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

            AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

            AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
            發表于 01-08 17:51 ? 2707次 閱讀
            AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

            OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

            OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
            發表于 01-08 17:51 ? 2242次 閱讀
            OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

            TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

            TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
            發表于 01-08 17:51 ? 431次 閱讀
            TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

            DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

            DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
            發表于 01-08 17:51 ? 576次 閱讀
            DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

            TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

            TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
            發表于 01-08 17:51 ? 610次 閱讀
            TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

            TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

            這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
            發表于 01-08 17:51 ? 637次 閱讀
            TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

            LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

            LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
            發表于 01-08 17:51 ? 1078次 閱讀
            LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

            TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

            TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
            發表于 01-08 17:51 ? 1113次 閱讀
            TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

            LM358B 雙路運算放大器

            LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
            發表于 01-08 17:51 ? 1206次 閱讀
            LM358B 雙路運算放大器

            LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

            LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
            發表于 01-08 17:51 ? 655次 閱讀
            LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

            LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

            LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
            發表于 01-08 17:51 ? 609次 閱讀
            LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

            LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

            LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
            發表于 01-08 17:51 ? 613次 閱讀
            LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器